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알에프세미는 지난해 부터 국내업체와 협업하여 6인치 웨이퍼를 이용한 SiC 전력반도체 생산을 위해 기술 개발을 했으며 올해 위탁 생산 계약을 맺고 이번에 첫 공급을 시작한 것이다.
이번에 공급한 제품은 전류를 한쪽 방향으로 전달 시키는 JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드 제품으로 전기차, TV 등 고전력 부품으로 사용되는 범용 제품이다.
SiC와 GaN(갈륨나이트라이드)를 이용한 전력반도체는 기존 Si(실리콘)를 이용한 전력반도체 보다 2~3배 이상 큰 전압에 견딜 수 있으며, 고온에서도 정상 동작하는 특징이 있다. SiC 전력반도체는 고전압과 고열에 견디는 능력이 커서 소형화 및 전력 소모 감소가 가능하여 고전압이 필요한 전기차나 수소차에 적용되고 있다.
알에프세미는 전주 공장에 6인치 웨이퍼 공장을 운영하고 있으며 월 6000장 생산 능력을 보유했다. 이진효 알에프세미 대표는 “지난 20년간 반도체 제조 기술 노하우를 바탕으로 빠른 시간에 높은 수율 반도체 제품 생산이 가능하다”며 “SiC 전력반도체 파운드리(위탁 생산) 사업을 확대해 나갈 계획”이라고 밝혔다.





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