"1c나노 공정, 향후 HBM4E에 적용"-SK하이닉스 컨콜

[이데일리 김소연 조민정 기자] “1b나노미터의 우수한 개발 완성도 바탕으로 지난해 하반기 1c나노미터 제품의 개발 완료했고 양산성을 확보했다. 1c 기반의 DDR5 제품은 이전 제품 세대 대비 속도가 28% 향상됐고 전력 효율도 9% 이상 개선됐다. 1c 제품은 이미 개발 단계에서 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있고 앞으로 양산 확대 시 유의미한 수준의 원가 절감도 가능할 것으로 보고 있다. 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산 시작하지만 올해 투자의 상당 부분이 이미 고객 수요가 확보된 HBM과 인프라 투자에 집중될 예정이다. 향후 수요와 공급 상황 고려해 D램프업을 위한 투자를 계획하고 있다. 1c 공정을 향후 HBM4E에 적용해 차세대 HBM 제품의 제품 개발과 적기 공급을 통해 시장 리더십 유지할 것.”

…SK하이닉스(000660) 컨퍼런스 콜.

SK하이닉스 이천본사. (사진=연합뉴스)