JY '기술' 선언 후…삼성 "2027년 1.4나노 양산" 패권도전

[이데일리 이준기 최영지 기자] “자신감을 제대로 보여줬다.” (박재근 한양대 융합전자공학부 교수)

지난달 13일(현지시간) 파나마시티에 위치한 파나마 대통령궁에서 이재용 삼성전자 부회장(오른쪽)이 라우렌티노 코르티소 파나마 대통령과 악수하고 있다. 사진=삼성전자

삼성전자가 오는 2027년 1.4나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정을 도입하겠는 비전을 전격 발표했다.

3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세에 있는 시그니아 바이 힐튼에서 고객사·협력사·파트너사 소속 500여명이 참석한 가운데 3년 만에 오프라인으로 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서다. 올해 6월 세계 최초로 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 기반 3나노 공정 양산을 개시한 삼성전자가 2나노 공정 계획을 밝힌 적은 있지만 1.4나노 계획을 언급한 건 처음이다.

최근 기술을 경영전략의 최상단에 올려놓으라는 이재용 삼성전자 부회장의 지시 이후 차별화된 기술력을 바탕으로 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 1위인 대만 TSMC를 맹추격, 2030년 시스템반도체도 평정하겠다는 의지를 드러낸 것으로 읽힌다.

1.4나노 공정 준비에 들어간 대만 TSMC의 경우 삼성전자와 달리 3나노 공정까지는 GAA가 아닌 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 기반으로 반도체를 양산한다는 계획이다. 그러나 강문수 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 “GAA는 게임체인저”라며 “혁신을 지속해 2나노와 1.4나노에 진입할 것”이라고 했다.

박재근 한양대 융합전자공학부 교수는 “삼성의 기술개발(R&D) 투자 규모는 TSMC의 5분의 1 수준”이라며 “GAA 등 기술적 혁신을 통해 양산을 잘 준비할 테니 우리 고객으로 들어오라는 메시지를 던진 것”이라고 해석했다. 김정호 카이스트 전기전자공학부 교수는 “고객들에게 GAA 기반 3나노의 수율이 괜찮다는 시그널을 보낸 것”이라고 했다.

▲10월 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 파운드리사업부장 최시영 사장이 발표를 하고 있는 모습. (사진=삼성전자)

삼성전자는 또 고성능컴퓨팅(HPC)·오토모티브(차량용 반도체)·5세대 이동통신(5G)·사물인터넷(IoT) 등 고성능저전력 반도체 시장을 적극 공략, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키우겠다는 로드맵도 공개했다.