SK(034730)㈜는 국내 유일 SiC 전력반도체 설계·제조사 예스파워테크닉스의 경영권 인수와 유상 증자에 총 1200억원을 투자한다고 27일 밝혔다. 이를 통해 SK㈜는 예스파워테크닉스의 지분 95.8%를 확보하게 된다.
앞서 SK㈜는 지난해 1월 268억원을 투자해 예스파워테크닉스 지분 33.6%(2대 주주)를 확보한 후 제품 개발, 공정 개선, 고객 확보 등 SiC 전력반도체 사업의 경쟁력 강화를 지원해 왔다.
앞으로 SK㈜는 지속적인 연구개발(R&D) 투자를 통해 예스파워테크닉스의 SiC 전력반도체 핵심 기술 국산화에 앞장서면서 설비 투자 등 기술 경쟁력을 높여 예스파워테크닉스를 글로벌 SiC 전력반도체 선도 기업으로 육성할 계획이다.
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특히, SiC 전력반도체는 전기차 에너지 효율을 7%가량 개선할 수도 있어 전기차 핵심 부품으로 자리 잡을 것으로 예상된다. 테슬라가 2018년 모델3에 SiC 전력반도체를 처음으로 도입한 뒤 현재 전체 전기차의 3분의 1이 이를 채택하고 있다.
글로벌 시장조사기관 욜 디벨롭먼트(Yole Development)에 따르면 SiC 전력반도체 시장은 2026년 49억달러(6조1000억여원) 규모까지 성장할 것으로 전망되며, 전기차 수요 폭증으로 시장 전망치는 계속 상향 조정되고 있다.
SiC 웨이퍼 생산사인 SK(034730)실트론을 자회사로 두고 있는 SK㈜는 이번 인수를 통해 국내 최초로 SiC 전력반도체 소재인 웨이퍼 생산부터 SiC 전력반도체 설계, 제조까지 이르는 가치사슬(밸류체인)을 구축하게 됐다.
현재 SiC 전력반도체 시장을 독일·미국·일본 소수 기업이 과점하고 있는 상황에서 예스파워테크닉스는 1700볼트(V)급 고전압 모스펫(MOSFET·전류의 양을 조절하는 고속 스위칭용 반도체 소자) 기술을 보유한 업체로 글로벌 선도 업체와 경쟁을 벌일 수 있다는 평가를 받는다.
SK㈜는 SiC 전력반도체의 글로벌 양산 체제를 갖추는 동시에 글로벌 기업과 협력을 통해 SiC에 기반을 둔 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 등 고부가가치 제품으로 라인을 확장한다는 전략이다. 차세대 전력반도체 신소재로 꼽히는 질화갈륨 반도체는 5G·위성통신·레이더 장비 등에 쓰인다.
김양택 SK㈜ 첨단소재 투자센터장은 “전기차 핵심 기술 전반에 선제로 투자해온 SK㈜는 이번 투자를 통해 빠르게 성장하는 SiC 전력반도체 시장에서 또 하나의 성장 기회를 확보하게 됐다”며 “SiC 전력반도체 기술 고도화와 빠른 글로벌 양산 체제 구축을 통해 전기차 핵심 반도체 소재 기업으로 도약할 것”이라고 말했다.
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